Рекомендуем
Описание
Преимущества:
- Удобный и простой интерфейс. Возможность управления сразу несколькими пользователями.
- Операционная система Windows OS, программное обеспечение для файлов формата GDSII & DXF CAD
- Точечный луч
- TFE излучатель
- Ширина линии <2 нм с 50kV ускоряющего напряжения
- Высокая точность сшивки и совмещения
- Стабильность тока и позиционирования луча
- Регулирование модуляции размера поля (запатентовано) -разрешение позиционирования 0.0012нм
- Chirped GRT
- Осесимметричный метод записи
- Термальный контроллер
Характеристики:
- Gun/Acceleration Voltage TFE（ZrO/W）/5-50kV
- Beam size/min. width 2.0nm/10nm
- Scanning method Vector scan(X,Y), Vector scan(r,theta) standard
- Raster scan, spot scan(option) Field size modulation, Axial symmetrical pattern, RAM DAC digital spot writing, 3D writing method
- Field size 30umx30um,60umx60um,120umx120um,300umx300um, 600umx600um(standard)
- 1200umx1200um,2400umx2400um(option)
- Pixel 20,000x20,000dot,60,000x60,000dot@vector scan(standard)240,000x240,000dot@vector scan(option)4,000x4,000dot，4,000x4,000dot,10,000x10,000dot@raster scan(option)
- Min. address size 10nm@600umx600um field,2nm@120umx120um field(standard)
- 0.0012nm@500umx500um field(option)
- Scan rate/
- Resolution Vector scan(Analog): 0.05-300uS/0.01us(standard)
- Vector scan(Digital): 0.2-300uS/0.1us(standard)
- Raster scan: 0.3-300uS/0.1us(Option)
- Wafer size 4,6,8inchΦ(other size, other shape is OK)
- Stitching accuracy 50nm(3sigma)@500umx500um,
- 20nm(2sigma)@50umx50um
- Overlay accuracy 50nm(3sigma)@500umx500um, 20nm(2sigma)@50umx50um
- CAD software original CAD(standard),ＧDSⅡconversion(option), DXＦ conversion(option)
- OS Windows2000, XP
Характеристики
| Электронный излучатель / ускоряющее напряжение | TFE (ZrO/W)/5 to 50kV |
| Мин. диаметр луча | 2.0nm (for Academic and R&D) 4.0nm (for Production) |
| Метод сканирования | Vector scan (x, y) (Standard) Vector scan (r, θ), Raster scan, Spot scan (Optional) |
| Расширенная литография функции (необязательно) | Литография с модуляцией размера поля, литография с осевой симметрией |
| Размер поля | sq. 30μm - sq. 1000μm (50kV) (for Academic and R&D) sq. 30μm - sq. 1500μm (50kV) (for Production) |
| Размер заготовки | 4，6，8inchΦ |
| программное обеспечение САПР | Выделенный CAD (стандарт), преобразование GDS II (опционально), Преобразование DXF (необязательно) |
| OS | Windows |
