Описание
Термоэмиссионное поле до 110 кВ.
Литограф для R&D и серийного производства. Выполняет отрисовку субмикронной и наноразмерной топологии полупроводниковых устройств.
Литограф имеет полное инженерное обеспечение и контроль внутренних параметров системы – 2-х зонный модуль контроля и поддержания стабильной рабочей температуры с системой кондиционирования, модуль источника бесперебойного питания, 2-х уровневый активный антивибрационный стол, автоматический модуль загрузки образцов, высокоточный X-Y-Z сканирующий стол с активной системой автофокуса и контроля положения.
Обеспечивает просмотр топологии в режиме СЭМ.
Компьютерная система управления электронно-оптической системой литографа (EOS), стабильная электронная пушка и большой набор специальных программных продуктов обеспечивают полную гарантию Пользователю в изготовлении ультратонких структур для приложений нового поколения оптико-коммуникационных устройств, МЭМС/НЭМС, датчиков в областях микроэлектроники, оптоэлектроники и нанотехнологий.
Литограф для R&D и серийного производства. Выполняет отрисовку субмикронной и наноразмерной топологии полупроводниковых устройств.
Литограф имеет полное инженерное обеспечение и контроль внутренних параметров системы – 2-х зонный модуль контроля и поддержания стабильной рабочей температуры с системой кондиционирования, модуль источника бесперебойного питания, 2-х уровневый активный антивибрационный стол, автоматический модуль загрузки образцов, высокоточный X-Y-Z сканирующий стол с активной системой автофокуса и контроля положения.
Обеспечивает просмотр топологии в режиме СЭМ.
Электронная оптическая система обеспечивает работу в большом диапазоне ускоряющих напряжений
Компьютерная система управления электронно-оптической системой литографа (EOS), стабильная электронная пушка и большой набор специальных программных продуктов обеспечивают полную гарантию Пользователю в изготовлении ультратонких структур для приложений нового поколения оптико-коммуникационных устройств, МЭМС/НЭМС, датчиков в областях микроэлектроники, оптоэлектроники и нанотехнологий.
Характеристики
| Gun/Acceleration Voltage TFE (ZrO/W emitter) | 25-110kV (5 kV step) |
| Beam size/min. width | 1,7nm |
| Exposure Area | 125mm x 125mm or 150mm.dia. |
| Scanning method | Vector scan(X,Y), Vector scan(r,theta) standard Raster scan, spot scan(option) Field size modulation, Axial symmetrical pattern, RAM DAC digital spot writing, 3D writing method |
| Min. address size | 0.0012nm (with Field Size Mod. Option) |
| Scan rate, dot. | 0.0012nm (with Field Size Mod. Option) |
| Vector Scanning | 20000 x 20000 (Four methods selectable) 60000 x 60000 (20bit DAC) 240000 x 240000 960000 x 960000 |
| Raster Scanning Option (Selectable) (14bit DAC) | 10000 x 10000 |
| Stitching Accuracy | 35nm (Mean+3sigma, 120 micrometer .sq field) 20nm (Mean+2sigma, 60 micrometer .sq field) 40nm (Mean+3sigma, 120 micrometer .sq field) |
| Workpiece Sizes | Snatches, 50, 100, 150 dia. Wafer 4, 5, inch square Mask Blank Option |
| CAD программы | Dedicated CAD (Standard), GDS II conversion (Optiional)， DXF conversion（Optional） |
| ОС | Windows |
